Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM12P30S8

MOSFET P-CHANNEL 30V 12A 8SOP

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
8-SOP
Seri / Aile Numarası
RM12P30S

RM12P30S8 Hakkında

RM12P30S8, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOP yüzeye monte paket ile tasarlanmıştır. 10V kapı-kaynak geriliminde 15mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 3W güç ısıtması limiti ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 1750pF maksimum giriş kapasitansi ve ±20V maksimum gate-source gerilimi ile dikkat çeken özellikleridir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok