Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM12N650TI
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220F
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM12N650TI
RM12N650TI Hakkında
RM12N650TI, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 11.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 360mOhm (10V, 7A'de) maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir ve maksimum 32.6W güç harcanabilir. İnverter devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok