Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM12N650T2
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM12N650T2
RM12N650T2 Hakkında
RM12N650T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim dayanımı ve 11.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 360mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, AC/DC konvertörleri ve endüstriyel aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 101W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok