Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM12N650LD
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM12N650LD
RM12N650LD Hakkında
RM12N650LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 11.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve elektrik kaynağı yönetim sistemlerinde tercih edilir. 10V gate geriliminde 360mOhm maksimum RDS(on) değeri ile hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 101W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok