Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM12N650IP
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO251
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM12N650IP
RM12N650IP Hakkında
RM12N650IP, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 11.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 360mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 101W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile, AC/DC dönüştürücüler, invertörler ve endüstriyel güç kaynağı devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok