Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM12N100LD
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM12N100LD
RM12N100LD Hakkında
RM12N100LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 112mOhm maksimum On-state direnci (Rds On @ 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1535 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok