Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM120N85T2

MOSFET N-CH 85V 120A TO220-3

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RM120N85T2

RM120N85T2 Hakkında

RM120N85T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 85V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektriksel devrelerde anahtar elemanı olarak çalışır. 10V gate drive geriliminde 5.3mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında ve 160W maksimum güç disipasyonu ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, motor sürücüleri, AC/DC güç kaynakları ve inverterlerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 85 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok