Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM120N60T2
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM120N60T2
RM120N60T2 Hakkında
RM120N60T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 120A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygun bir güç transistörüdür. 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, sürücü devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 180W maksimum güç yayılımı yapabilir. 10V ve 4.5V gate voltajlarında karakterize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok