Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM120N30DF
MOSFET N-CHANNEL 30V 120A 8DFN
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM120N30DF
RM120N30DF Hakkında
RM120N30DF, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Vdss ve 120A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.35mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerVDFN yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uyum gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç tüketimi ile yüksek hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.35mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok