Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM11N800TI
MOSFET N-CHANNEL 800V 11A TO220F
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM11N800TI
RM11N800TI Hakkında
RM11N800TI, Rectron USA tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 11A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlama işlevini yerine getirir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 10V gate sürüş voltajında 420mΩ on-direnç değeriyle çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilen bu MOSFET, güç kaynakları, motor sürücüleri, indüktif yüklerin kontrolü ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır. 33.8W maksimum güç disipasyonu kapasitesi endüstriyel ve ticari elektronik sistemlerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok