Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM115N65T2
MOSFET N-CH 65V 115A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM115N65T2
RM115N65T2 Hakkında
RM115N65T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 65V drain-source geriliminde 115A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate-source geriliminde 4.7mOhm on-state direnci ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu MOSFET, 160W güç yayınlama kapasitesi ile başarılı performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 65 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5900 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok