Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM110N82T2

MOSFET N-CH 82V 110A TO220-3

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RM110N82T2

RM110N82T2 Hakkında

RM110N82T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 82V drain-source gerilimi ve 110A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate drive geriliminde 7mOhm'luk düşük on-resistance değeri ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama gereken endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 82 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6400 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok