Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM110N150HD
MOSFET N-CH 150V 113A TO263-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM110N150HD
RM110N150HD Hakkında
RM110N150HD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 113A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-2 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 8.8mΩ düşük on-dirençi sayesinde minimal enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında ve 273W güç atılımıyla, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 4V threshold voltajı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 113A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4362 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok