Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM10N30D2
MOSFET N-CH 30V 10A 6PQFN
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM10N30D2
RM10N30D2 Hakkında
RM10N30D2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 6-PQFN (2x2mm) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük 12mOhm açık kanal direnci (Rds On) ile verimliliği artırır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 730mW güç tüketebilir. 4.5V ve 10V sürücü gerilimlerinde kullanılabilir, 2V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama sağlar. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1415 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 730mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok