Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM100N65DF
MOSFET N-CHANNEL 65V 100A 8DFN
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM100N65DF
RM100N65DF Hakkında
RM100N65DF, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 65V drain-source gerilim ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN paket içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor sürücüleri ve AC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 142W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 65 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 142W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok