Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM100N60T2
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM100N60T2
RM100N60T2 Hakkında
RM100N60T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun olan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtar (switching) elemanı olarak kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 6.5mΩ maksimum on-state direnç değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilir. Endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, şarj sistemleri ve benzer yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok