Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM100N30DF
MOSFET N-CHANNEL 30V 100A 8DFN
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM100N30DF
RM100N30DF Hakkında
RM100N30DF, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (5x6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük 2.5mOhm on-state direnci (10V, 20A'de) sayesinde enerji verimli devre tasarımlarına uygundur. Maksimum 65W güç tüketimi ile endüstriyel kontrol, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, çeşitli ortamlarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok