Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM052N100DF

MOSFET N-CHANNEL 100V 70A 8DFN

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
RM052N100DF

RM052N100DF Hakkında

RM052N100DF, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajına ve 70A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, 8-DFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 5.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan ürün, güç düzenleyicileri, motor kontrol devreleri, şarj yönetimi sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 142W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur. 9100pF giriş kapasitanı ve 2.5V gate-source eşik voltajı hızlı anahtarlama performansı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +20V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok