Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM002N30DF

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
RM002N30DF

RM002N30DF Hakkında

RM002N30DF, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 85A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (5x6mm) yüzey montajlı pakete sahiptir. 10V kapı geriliminde 2.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4345 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok