Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RK7002T116

MOSFET N-CH 60V 115MA SST3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RK7002T116

RK7002T116 Hakkında

RK7002T116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source geriliminde 115mA sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, 10V gate geriliminde 7.5Ω maksimum On-resistance değerine sahiptir. SOT-23-3 (SST3) paketinde sunulan komponent, düşük güç anahtarlama uygulamalarında, sinyal kontrol devrelerinde ve gerilim düşürme işlemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulama alanına sahiptir. Maksimum 225mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uygun seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SST3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok