Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RK7002BT116

MOSFET N-CH 60V 250MA SST3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RK7002BT

RK7002BT116 Hakkında

RK7002BT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 250mA sürekli dren akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 2.4Ω maksimum RDS(on) direnci sayesinde düşük kayıp ile çalışır. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD pakette sunulan bu transistör, 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Microcontroller çıkışlarından sürülebilen 2.5V minimum sürüş gerilimi ile endüstriyel kontrol, anahtarlama kaynakları ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 15pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Supplier Device Package SST3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok