Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJU002N06T106

MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3

Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
RJU002N06T

RJU002N06T106 Hakkında

RJU002N06T106, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 200mA sürekli drain akımı ile low-power uygulamalarında kullanılır. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Vgs(th) 1.5V olup ±12V gate-source voltaj aralığında çalışabilir. 200mW maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile LED sürücüleri, motor kontrol devreleri, güç anahtarları ve dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package UMT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok