Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJP020N06T
RJP020N06T100 Hakkında
RJP020N06T100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2A sürekli dren akımı (Id) ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. TO-243AA paketinde sunulan bu bileşen, 240mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Gate eşik gerilimi (Vgs(th)) 1.5V olup, ±12V maksimum gate geriliminde çalışabilir. 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığında ve 500mW güç tüketimi limitinde çalışır. Motor kontrolleri, düşük voltajlı anahtarlama devreleri, güç yönetim uygulamaları ve genel amaçlı MOSFET anahtarlama işlemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok