Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJL6020DPK-00#T0
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJL6020DPK
RJL6020DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJL6020DPK-00#T0, 600V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı özellikleriyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 210mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, 150°C'ye kadar sıcaklıkta güvenli şekilde işletilir. 200W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok