Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJL6018DPK-00#T0
MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJL6018DPK
RJL6018DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJL6018DPK-00#T0, 600V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P paket içinde sunulan bu bileşen, 265mOhm maksimum açık-kapı direnci (Rds On) ve 98nC gate yükü (Qg) özellikleriyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 200W maksimum güç dağıtımı ve ±30V maksimum gate gerilimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, endüstriyel kontrol sistemlerinde ve güç dönüştürücülerde yer alır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok