Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJL6013DPE-WS#J3
MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJL6013DPE
RJL6013DPE-WS#J3 Hakkında
RJL6013DPE-WS#J3, Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaktadır. 810mOhm maksimum RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SC-83 (LDPAK) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yer almaktadır. Maksimum 100W güç dissipasyonu ve 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilmektedir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 810mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok