Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJL6013DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJL6013
RJL6013DPE-00#J3 Hakkında
RJL6013DPE-00#J3, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain to Source gerilim desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç seviyesi anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 810mOhm (10V, 5.5A) maksimum on-state direnci sayesinde verimli enerji dağılımı sağlar. 4LDPAK (SC-83) yüzey montajlı paketleme ile kompakt devre tasarımlarına uygun boyutlandırılmıştır. Enerji dönüşüm devreleri, anahtarlama kaynakları, motor sürücüleri ve indüktif yük uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum bileşen sıcaklığında çalışabilme kapasitesi endüstriyel ortamlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 810mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok