Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJL6012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK

Paket/Kılıf
SC-83
Seri / Aile Numarası
RJL6012DPE

RJL6012DPE-00#J3 Hakkında

RJL6012DPE-00#J3, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SC-83 (LDPAK) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply) sistemleri ve ağır yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-83
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device Package LDPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok