Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJL5014DPP-A0#T2
ABU / MOSFET HV
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJL5014DPP
RJL5014DPP-A0#T2 Hakkında
RJL5014DPP-A0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim ve 19A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 400mOhm maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde) sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. 43nC gate charge ve 1700pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun bir yapıya sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve gerilim dönüştürücülerde kullanılır. Maksimum 35W güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok