Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJL5014DPK-00#T0
MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJL5014
RJL5014DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJL5014DPK-00#T0, 500V drain-source gerilim kapasitesi ve 19A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-channel MOSFET'tir. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü voltajında 400mΩ tipik on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 43nC gate charge ve 1700pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 150W maksimum güç dissipasyonu ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile sunucu, endüstriyel kontrol ve elektrik dönüştürücü devrelerde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok