Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJL5012DPP-M0#T2
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FL
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJL5012DPP
RJL5012DPP-M0#T2 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJL5012DPP-M0#T2, 500V drain-source gerilim kapasitesiyle tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 12A sürekli dren akımı ve 30W güç yayılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 10V kontrol geriliminde 700mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sağlar. 27.8nC gate charge ve 1050pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunarak, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220 Full Pack paketinde teslim edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok