Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJL5012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJL5012DPE
RJL5012DPE-00#J3 Hakkında
RJL5012DPE-00#J3, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güçlü uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 700mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama ve enerji yönetimi sağlar. 100W güç dissipasyonu kapasitesi sayesinde güç dönüştürücüleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve enerji yönetim sistemlerinde uygulanabilir. SC-83 (LDPAK) yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlar geliştirilebilir. ±30V gate gerilim aralığı ve 150°C işletme sıcaklığı endüstriyel ortamlarında güvenilir çalışma garantiler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok