Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK60S7DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK60S7DPP

RJK60S7DPP-E0#T2 Hakkında

RJK60S7DPP-E0#T2, Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim ve 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Super Junction teknolojisini kullanarak enerji dönüşümü uygulamalarında düşük Rds(on) değeri (125mΩ @ 15A, 10V) ve hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynağı devreleri, motor sürücüleri, şarj cihazları ve güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. -20V ile +30V arasında gate gerilimi ile çalışabilir. Maksimum 150°C bileşen sıcaklığında ve 34.7W güç tüketim kapasitesinde çalışır. Gate şarjı 39nC (@ 10V) ile kontrol kolaylığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +30V, -20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok