Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK60S7DPK-M0#T0
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK60S7DPK
RJK60S7DPK-M0#T0 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJK60S7DPK-M0#T0, N-Channel MOSFET transistör olup 600V Drain-Source voltajında 30A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 125mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. TO-3P-3 (SC-65-3) paket tipinde through-hole montajına uygun olan transistör, ±30V/-20V Vgs aralığında çalışır. 227.2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, AC/DC adaptörler, UPS sistemleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 227.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PSG |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +30V, -20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok