Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK60S4DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK60S4DPP

RJK60S4DPP-E0#T2 Hakkında

RJK60S4DPP-E0#T2, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisini kullanan bu bileşen, 16A sürekli drain akımı ve 290mOhm (10V, 8A) on-state direnci ile çalışır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan transistör, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır. Maksimum 29.9W güç tüketimi kapasitesine sahip olan bileşen, -40°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında çalışabilmektedir. Gate charge değeri 18nC (10V) olup, giriş kapasitansi ise 988pF (25V) değerindedir. Ürün mevcut olarak Obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 988 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 29.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok