Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK60S3DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK60S3DPP

RJK60S3DPP-E0#T2 Hakkında

RJK60S3DPP-E0#T2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Super Junction MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 440mΩ (10V, 6A) on-resistance değerine ve 13.6nC gate charge özelliğine sahiptir. 150°C'ye kadar çalışabilir ve 27.7W güç tahlifi yapabilir. Endüstriyel güç dönüştürücü, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve benzer yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Cihaz Super Junction teknolojisi sayesinde daha düşük anahtarlama kayıpları sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 27.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok