Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6032DPH-E0#T2
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6032DPH
RJK6032DPH-E0#T2 Hakkında
RJK6032DPH-E0#T2, Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim, 3A sürekli dren akımı ve 4.3Ω maksimum açık durum direnci (RDS on) ile düşük sinyal işleme ve güç anahtarlaması uygulamalarına uygundur. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj güç dönüştürme devreleri, invertör kontrol, motor sürücüleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 40.3W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel ve ticari ölçekli sistemlere entegre edilebilir. Bileşen obsolete (üretimi durdurulmuş) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 285 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok