Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6032DPD-00#J2
MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6032DPD
RJK6032DPD-00#J2 Hakkında
RJK6032DPD-00#J2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 4.3Ohm maksimum on-direnci ve 40.3W güç tüketimi özelliği ile switching uygulamalarında, güç kaynakları, inverter devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. TO-252-3 (DPak) paket tipi ile surface mount teknolojisine uyumludur. ±30V gate voltajı aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 285 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok