Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK6026DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK6026DPP

RJK6026DPP-E0#T2 Hakkında

RJK6026DPP-E0#T2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.4Ω @ 10V gate geriliminde on-resistance değerine ve 150°C maksimum junction sıcaklığına sahiptir. 28.5W güç yayılım kapasitesi ile orta ve yüksek güç uygulamalarında anahtarlama görevini gerçekleştirir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bu transistör, düşük gate yükü (14nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 28.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok