Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6025DPD-00#J2
MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6025DPD
RJK6025DPD-00#J2 Hakkında
RJK6025DPD-00#J2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 1A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 17.5Ω on-resistance değerine sahiptir. 150°C'ye kadar çalışabilen ve 29.7W güç dağıtabilen RJK6025DPD, anahtarlama devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (5 nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Aktif üretim statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 37.5 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok