Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK6024DPD-00#J2

MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RJK6024DPD

RJK6024DPD-00#J2 Hakkında

Renesas Electronics tarafından üretilen RJK6024DPD-00#J2, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 400mA sürekli dren akımı kapasitesine ve 42Ω maksimum on-direnci özelliğine sahiptir. 10V gate geriliminde çalıştırılmakta olup, ±30V maksimum gate gerilimi toleransındadır. 27.2W güç dağıtım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında işletim yapabilir. MP-3A paket standardına uygun olan bu MOSFET, yüksek voltaj ve orta akım gerektiren anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 37.5 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 27.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42Ohm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package MP-3A
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok