Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6024DPD-00#J2
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6024DPD
RJK6024DPD-00#J2 Hakkında
RJK6024DPD-00#J2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V Drain-Source voltaj derecelendirmesi ve 400mA sürekli dren akımı özelliği ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 42Ohm maksimum RDS(On) değeri ile anahtarlama ve düşük sinyalli amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol, AC/DC güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında yer alır. ±30V Gate-Source voltaj aralığı ve 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığı ile geniş çalışma koşullarına uyarlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 37.5 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | MP-3A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok