Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK6020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 32A TO3P

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK6020DPK

RJK6020DPK-00#T0 Hakkında

Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RJK6020DPK-00#T0, 600V drain-source voltaj ve 32A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 175mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. 121nC gate yükü ve 5150pF giriş kapasitesi kontrollü anahtarlama davranışı garanti eder. 200W maksimum güç dağılımı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok