Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6018DPM-00#T1
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6018DPM
RJK6018DPM-00#T1 Hakkında
RJK6018DPM-00#T1, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 full pack paket içinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 235mΩ maksimum ON direnci (10V gate gerilimde, 15A akımda) ve 92nC gate yükü ile hızlı anahtarlama sağlar. 60W güç dağılım kapasitesi ve ±30V maksimum gate-source gerilimi ile çalışma aralığına sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücüleri, invertörler ve switched-mode güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Junction sıcaklığı 150°C'ye kadar dayanır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye kolaylıkla entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok