Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6018DPK-00#T0
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6018DPK
RJK6018DPK-00#T0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RJK6018DPK-00#T0, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET'tir. 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, 235mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan komponen, endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığı ve 200W güç dağılım kapasitesi ile uzun ömürlü çalışma garantiler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok