Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6015DPK-00#T0
MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6015DPK
RJK6015DPK-00#T0 Hakkında
RJK6015DPK-00#T0, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 360mΩ maksimum RDS(on) değeriyle iletim kaybını sınırlandırır. ±30V gate gerilim aralığı ve 150W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde endüstriyel anahtarlama, motor kontrol, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok