Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6014DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6014DPP
RJK6014DPP-E0#T2 Hakkında
RJK6014DPP-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilmektedir. 35W maksimum güç disipasyonu ve 575mOhm (10V, 8A) RDS(on) değeriyle enerji dönüşüm sistemlerinde verimli çalışma sağlar. ±30V gate-source gerilim aralığı ve -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 575mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok