Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6014DPP-E0#T2
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6014DPP
RJK6014DPP-E0#T2 Hakkında
RJK6014DPP-E0#T2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 16A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde gelen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 35W maksimum güç tüketimi ve 575mOhm RDS(on) değeri ile verimli çalışır. ±30V gate-source gerilim aralığında çalışabilir ve -40°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 575mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok