Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RJK6013DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RJK6013DPP

RJK6013DPP-E0#T2 Hakkında

RJK6013DPP-E0#T2, Renesas Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, sürekli 11A dren akımı kapasitesine ve maksimum 700mOhm RDS(on) değerine sahiptir. 10V gate voltajında çalışmak üzere tasarlanan cihaz, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar ve güç yönetimi işlevlerini yerine getirir. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığı ve 30W güç dağıtımı desteğiyle, SMPS, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. ±30V maksimum gate-source voltajı aralığı geniş kontrollenebilirlik sağlar. Через-delik montajı ile PCB'ye entegrasyon yapılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok