Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RJK6013DPE-WS#J3
MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- SC-83
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RJK6013DPE
RJK6013DPE-WS#J3 Hakkında
RJK6013DPE-WS#J3, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 11A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 700mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V gate threshold voltajı ve ±30V maksimum gate voltajı desteği ile kontrol devreleri tarafından kolay sürülebilir. SC-83 (LDPAK) paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, motor kontrol, inverter ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığı ve 100W güç tüketim kapasitesi ile kompakt tasarımlarda entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SC-83 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LDPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok